近日，中微創(chuàng)芯“基于國產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT（RC-IGBT）的智能功率模塊（IPM）設(shè)計開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化” 項目通過中國科學(xué)院蘭州查新咨詢中心科技查新！核心技術(shù)達國際先進水平，三項創(chuàng)新填補國內(nèi)外空白，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化再添重器！

突破 “卡脖子”！國產(chǎn) IGBT 功率模塊迎來里程碑

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭白熱化的今天，中微創(chuàng)芯以硬核技術(shù)突圍，成功研發(fā)國產(chǎn)化逆導(dǎo) IGBT（RC-IGBT）智能功率模塊（IPM），一舉攻克傳統(tǒng) IGBT 模塊導(dǎo)通損耗高、體積大、可靠性差等難題。經(jīng)權(quán)威查新機構(gòu)認定，項目三大核心技術(shù)在國內(nèi)外公開文獻中未見相同報道，標志著我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從 “跟跑” 到 “并跑” 的關(guān)鍵跨越！

三大技術(shù)創(chuàng)新，定義行業(yè)新高度

1. 芯片結(jié)構(gòu)革新：效率與集成雙突破

首創(chuàng) “溝槽柵 + 載流子存儲層 + 場截止層” 三位一體設(shè)計，通過優(yōu)化載流子濃度梯度，將導(dǎo)通壓降低至1.6V（行業(yè)領(lǐng)先水平），能效比國內(nèi)同類產(chǎn)品提升 20%；更突破性地將 IGBT 與 FRD 芯片集成于單一芯片，從源頭縮小體積、提升可靠性。

2. 極致密度與魯棒性：小尺寸大能量

芯片元胞尺寸從傳統(tǒng) 6μm 驟降至2.4μm，功率密度達250A/cm²，模塊體積縮小 35%；融合 Dummy 溝道與 SN 摻雜設(shè)計，短路耐量突破6μs，魯棒性提升 50%，全面適配新能源汽車、工業(yè)變頻等高功率場景的嚴苛需求。

3. 多物理場協(xié)同封裝：工藝與性能雙優(yōu)化

基于熱 - 電 - 結(jié)構(gòu)三場耦合仿真，采用三維銅夾鍵合工藝，實現(xiàn)雜散電感≤5nH、熱阻 0.8K/W 的優(yōu)異性能，生產(chǎn)效率提升 40%，為高頻工業(yè)應(yīng)用提供穩(wěn)定保障。

產(chǎn)業(yè)化落地！打破國外壟斷進行時

項目已建成國內(nèi)首條 RC-IGBT-IPM 專用產(chǎn)線，月產(chǎn)能達 20 萬支，累計獲得授權(quán)發(fā)明專利 7 項。產(chǎn)品成功應(yīng)用于工業(yè)自動化、家電、新能源汽車等領(lǐng)域，與多家知名企業(yè)達成合作，從技術(shù)研發(fā)到市場應(yīng)用形成完整閉環(huán)，真正實現(xiàn) “中國芯” 的自主可控。

從 “替代” 到 “引領(lǐng)”，中微創(chuàng)芯開啟新征程

此次科技查新通過，不僅是對中微創(chuàng)芯技術(shù)實力的權(quán)威認證，更標志著我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域打破英飛凌、三菱等國際巨頭的長期壟斷，為 “中國智造” 注入強勁動能。未來，我司將持續(xù)深耕智能功率模塊技術(shù)，推動國產(chǎn)半導(dǎo)體在新能源、高端裝備等戰(zhàn)略領(lǐng)域的深度應(yīng)用，助力 “雙碳” 目標實現(xiàn)！

（來源：中微創(chuàng)芯科技）